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GALAXY S6/S6 Edge 四大核心技術 圖片

Galaxy S系列 ? 討論求助 ? S系列其他

2015-06-21 23:16

第四代康寧大猩猩玻璃:耐摔!

  在去年11月,康寧公司向外界宣布正式推出第四代康寧大猩猩玻璃,而在MWC 2015大展上,三星GALAXY S6/S6 Edge兩款產品就采用了第四代康寧大猩猩玻璃,那么這種玻璃相比第三代的提升在哪里?到底又有何獨到之處?

MWC新技術盤點
三星S6/S6 Edge采用第四代康寧大猩猩玻璃

  第三代康寧大猩猩玻璃,這個東西相信很多用過智能手機的人都聽說過,這是康寧公司為手機、平板等設備而打造的一種特殊材質的玻璃,其具備高強度的耐刮、防磨特性,目前上至旗艦級、下至千元級,很多智能手機都采用了這一種玻璃。

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第四代康寧大猩猩玻璃不僅耐刮、耐磨,還更耐摔

  而第四代大猩猩玻璃通過康寧的專利熔融制程生產,它不僅保持了大猩猩玻璃慣有的纖薄度、耐用性和較高光學純凈度,同時還大幅提升了在跌落情況下的抗損表現(xiàn),尤其是針對接觸尖銳物體而導致的碎屏保護能力,比如說柏油瀝青馬路、混凝土或者其它的粗糙表面。此外它的堅韌強度比競爭對手的玻璃要高處兩倍,作為目前康寧旗下最堅韌的蓋板玻璃,更好的解決了當下用戶因為意外跌落而產生的碎屏意外。

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相比第三代,第四代康寧大猩猩玻璃的耐摔性更好

  在第四代康寧大猩猩玻璃發(fā)布時,有一位外媒記者曾追問到是哪款設備會首先采用這種玻璃,不過康寧公司工作人員卻三緘其口,隨后1月份上市的三星GALAXY A7搶到了第一款的頭銜,此次三星GALAXY S6/S6 Edge也同樣采用第四代康寧大猩猩玻璃。另外我們知道三星GALAXY S6/S6 Edge的背面也是玻璃材質,但在發(fā)布會上并未明確表明同樣也是第四代康寧大猩猩玻璃,如果也是的話那么想來也是極好的。

14納米芯片功耗低性能高

  在以往的三星GALAXY S系列(部分三星GALAXY Note系列)產品中,三星習慣采用兩種處理器版本,分別是高通驍龍和三星Exynos,不過此次新發(fā)布的三星GALAXY S6/S6 Edge卻只采用了三星Exynos一種處理器,為何?因為它是14納米!

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三星GALAXY S6/S6 Edge采用14nm工藝的Exynos 7420處理器

  三星GALAXY S6/S6 Edge此次采用的是三星Exynos 7420處理器,首先這顆處理器采用了最新的14nm FinFET工藝制程,要知道目前大多數(shù)移動微型處理器還停留在28nm階段,更精細的工藝制程能夠容納更多的晶體管,其外在表現(xiàn)主要在兩個方面。

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Exynos 7420相比Exynos 5433性能提升35%

  第一,14nm的三星Exynos 7420在功耗上相比上一代的三星Exynos 5433(20nm)要減少30%到35%,這對于手機來說無疑是至關重要的。第二,14nm的三星Exynos 7420在性能上相比上一代的三星Exynos 5433(20nm)要提升了35%左右,曾有外媒曝光三星S6的安兔兔跑分高達60978分,與高通驍龍810的61499分不相上下,由此可見一斑。

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高通驍龍810與三星Exynos 7420安兔兔跑分對比(圖片來自phonearena)

  在CPU方面,三星Exynos 7420繼續(xù)采用了ARM Big.LITTLE架構,擁有四顆2.5GHz主頻的Cortex-A57核心、四顆1.5GHz主頻的Cortex-A53核心,八顆核心可根據(jù)任務進程來自動開啟,并可以相互交叉結合工作(核心遷移工作模式,如三顆A57 兩顆A53,或是八顆同時開啟)。

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Exynos 7420采用四顆A57、四顆A53內核

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集成八核Mali-T760圖形處理單元

  在GPU方面,三星Exynos 7420采用的是ARM Mali-T760 MP8圖形處理單元,ARM Mali-T760擁有最多16個著色器核心(三星Exynos 7420集成的是T760 MP8,也就是有8個著色器核心),并且每四個一組進行管理,每個著色器核心內都有四個ALU簇,并且ALU內部也做了重新設計,執(zhí)行速度和效率更快更高,另外對于二級緩存也進行了優(yōu)化調整。

終于等到你!LPDDR4內存!

  三星GALAXY S6/S6 Edge的內存容量為3GB,并非外界期待的4GB。不過這個3GB可不簡單,因為其采用的是最新的LPDDR4內存,LPDDR4內存的效能將比現(xiàn)有LPDDR3內存提升50%,可提供32Gbps的帶寬(為LPDDR3的2倍),更高效RAM內存意味著應用的啟動速度更快,這對于在執(zhí)行多任務時啟動重量級應用至關重要,同時由于工作電壓降低至1.1V,所以LPDDR4的耗電量也會降低40%。

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三星GALAXY S6/S6 Edge采用LPDDR4內存(3GB容量)

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今年LPDDR4內存將會是旗艦機的標準配備

  目前,三星、海力士都宣布已經(jīng)開始量產LPDDR4移動內存顆粒,預計今年內大家會看到更多LPDDR4的智能手機。不過LPDDR4內存可不是所有手機都能裝備的,目前只有高通驍龍810、三星Exynos 7420、英特爾Atom Z3500這三款處理器能夠支持LPDDR4內存,而這三款處理器均是定位于高端市場之列。

UFS嵌入式存儲:快到停不下來

  在發(fā)布會上,我們就已經(jīng)知道三星GALAXY S6/S6 Edge將會提供32/64/128GB三種版本,而大家可能忽略的是,三星GALAXY S6/S6 Edge采用的是最新的UFS嵌入式存儲,而并不是常見的eMMC嵌入式存儲。UFS采用“命令隊列(Command Queue)”技術,該技術常用于SSD固態(tài)硬盤中,通過串行接口來加快命令執(zhí)行速度,與采用8位并行接口的eMMC標準相比,其數(shù)據(jù)處理速度得到大幅提高。

MWC2015手機新技術盤點 三星S6包攬四項
三星GALAXY S6/S6 Edge采用了新的UFS嵌入式存儲技術

  據(jù)悉三星此次推出的UFS嵌入式內存的隨機讀取速度達到19000 IOPS,是eMMC 5.0嵌入式存儲(7000 IOPS)的2.7倍、普通高速存儲卡(1500 IOPS)的12倍,其超快的處理速度將大大提升系統(tǒng)性能。此外其連續(xù)讀寫性能也提升到了SSD水平,而功耗則降低了50%,更加適合手機設備使用。同時其隨機寫入速率也高達14000 IOPS,是一般外置存儲卡的28倍。

MWC2015手機新技術盤點 三星S6包攬四項
UFS簡單形容,就是SSD與eMMC的結合

  之前三星存儲芯片市場營銷部高級副總裁白智淏的表示,三星新的UFS嵌入式內存可提供32/64/128GB三種容量,這也就表明三星GALAXY S6/S6 Edge任何一個版本都將會擁有這項技術。另外其還采用了新型的嵌入式堆疊封裝(ePoP)解決方案,能直接堆疊在邏輯芯片上,節(jié)省了約50%的空間。

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UFS數(shù)據(jù)傳輸速度更快

  不過三星此前也表示,eMMC解決方案并不會就此推出市場,今后UFS系列產品將滿足高端移動市場的需求,而eMMC解決方案則將繼續(xù)活躍在中端細分市場。

筆者語

  第四代康寧大猩猩玻璃、14納米三星Exynos 7420、LPDDR4內存、UFS嵌入式存儲技術,這四項就是本屆MWC展會最具實際意義的新技術成果,可以讓我們手機的屏幕更加耐摔、讓性能和功耗更能實現(xiàn)和諧統(tǒng)一、可以讓整機的運行速度更加快速、可以讓大數(shù)據(jù)傳輸變得更為簡單和便捷。而這四項技術成果全部出自三星GALAXY S6/S6 Edge,這也顯現(xiàn)出了三星在產業(yè)鏈中強大實力的一面。預計在今年,我們會看到更多擁有這些技術成果的產品,但也毫無疑問的是,要享受這樣的最新技術成果肯定也是要付出更多的金錢。

 

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